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填空題

常規(guī)平面工藝擴散工序中的恒定表面源擴散過程中，雜質在體內滿足（）函數(shù)分布。常規(guī)平面工藝擴散工序中的有限表面源擴散過程中，雜質在體內滿足（）函數(shù)分布。

答案：余誤差；高斯分布

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制備SiO₂的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

答案：濺射法；真空蒸發(fā)法；陽極氧化法；熱氧化法；熱分解淀積法

在SiO₂內和Si-SiO₂界面存在有（）、（）、（）、（）等電荷。

答案：可動離子電荷；氧化層固定電荷；界面陷阱電荷；氧化層陷阱