電路如圖所示,設Vi=6sinωbV,試繪出輸出電壓Vo的波形。設D為硅二極管,使用恒壓降(0.7V)模型和折線模型(Vth=0.6V,rD=40Ω)進行分析。
共射電路如圖所示。已知晶體管的β=50;ICBO=0,VB=5.6V,RB=100kΩ,VCC=12V,VBE(on)=0.6V。 (1)如RC=2kΩ,試求基極電流IB集電極電流IC和VCE的值,并說明電路的工作狀態(tài)。 (2)如RC=5.1kΩ,重復(1)。 (3)如晶體管工作在放大狀態(tài),調節(jié)RB使集電極電流IC=2mA,電壓∣VA∣=120V,rbb′=50Ω,試畫出晶體管的低頻微變等效電路,并標出元件值。