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一般單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓在()V。
A.1~3
B.2~5
C.2~7
D.3~6
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單項(xiàng)選擇題
單結(jié)晶體管“BT33”中,第四位的“3”表示()。
A.3個(gè)電極
B.3個(gè)工作區(qū)域
C.3個(gè)基極
D.3個(gè)
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單項(xiàng)選擇題
單結(jié)晶體管“BT33”中,第三位的“3”表示耗散功率為()mW。
A.3
B.30
C.300
D.3000
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