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問答題

【計算題】半導體中載流子濃度n₀=10¹⁴cm^-3，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，非平衡空穴濃度，非平衡空穴的壽命τn₀=10^-6s，計算電子-空穴的復合率，計算載流子的費米能級和準費米能級、能級和準費米能級。

答案：

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【計算題】砷化鎵中施主雜質濃度為10¹⁶cm^-3，分別計算T=300K、400K的電阻率和電導率。

答案：

【計算題】硅中受主雜質濃度為10¹⁷cm^-3，計算在300K下的載流子濃度n₀和p₀。

答案：

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