A.腦內(nèi)有局灶性異常濃集區(qū)B.腦內(nèi)有局部稀疏區(qū)C.大腦呈彌漫性放射性增加D.腦內(nèi)無血流灌注
A.間隙期病灶處呈放射性灌注減低,發(fā)作期病灶處呈放射性缺損區(qū)B.間隙期病灶處呈放射性稀疏區(qū),發(fā)作期呈放射性異常濃集區(qū)C.間隙期病灶處呈放射性異常濃集區(qū),發(fā)作期呈放射性缺損區(qū)D.間隙期病灶處呈放射性異常濃集區(qū),發(fā)作期亦顯示放射性異常濃集
A.術(shù)前平臥半小時(shí)B.注射顯像劑前飲足量水C.排空小便D.無特殊準(zhǔn)備