集成電路工藝原理判斷題每日一練(2019.12.16)

來源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題柵氧一般通過熱生長獲得。

2.判斷題離子注入的缺點(diǎn)之一是注入設(shè)備的復(fù)雜性。

3.判斷題當(dāng)硅片暴露在空氣中時(shí)，會立刻生成一層無定形的氧化硅薄膜。

4.判斷題離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

5.判斷題管芯在芯片表面上的位置安排應(yīng)考慮材料的解理方向，而解理向的確定應(yīng)根據(jù)定向切割硅錠時(shí)制作出的定位面為依據(jù)。

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